拓扑绝缘体体相中的自旋 - 自旋相互作用
强关联电子
2014-03-12 v1
摘要
我们应用平均场理论和 Hirsch-Fye 量子蒙特卡洛方法研究了三维拓扑绝缘体体相中的自旋 - 自旋相互作用。我们发现自旋 - 自旋相互作用具有三个不同的分量：纵向分量、横向分量以及类横向 Dzyaloshinskii-Moriya 项。当费米能级位于拓扑绝缘体的体隙中时，由于 Bloembergen-Rowland 相互作用，自旋 - 自旋相互作用呈指数衰减。纵向关联表现为反铁磁性，而横向关联表现为铁磁性。当化学势位于导带或价带中时，自旋 - 自旋相互作用遵循幂律衰减，且在短距离极限下各向同性铁磁相互作用占主导地位。
引用
@article{arxiv.1311.2687,
title = {Spin-spin interaction in the bulk of topological insulators},
author = {Jinhua Sun and Liang Chen and Hai-Qing Lin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.2687},
year = {2014}
}
备注
9 pages, 10 figures