Ho$_{1-y}$Gd$_y$Al$_2$ 化合物中的自旋重取向与晶体场修正
材料科学
2020-11-06 v1 应用物理
摘要
我们对 HoGdAl 化合物的自旋重取向转变进行了实验与理论研究。对 HoGdAl 系列中五个选定样品( = 0、0.25、0.5、0.75 和 1.0)进行了晶体学、磁学和量热测量。结果显示,晶格参数随 Gd 含量()呈线性增加。磁化测量表明所有样品均呈现共线铁磁性。进行了比热测量以详述 HoAl 在约 20 K 附近出现的一级自旋重取向转变(FOSRT)。此外,我们研究了 Gd 含量的增加如何影响该相变的特征。我们的结果显示自旋重取向转变温度有轻微改变,其随 HoAl 中 Gd 增加而移向更低温度,而对于所选浓度直至 x = 0.75,该转变的一级特征得以保持。这种行为可能在宽温度范围内带来大的制冷容量(RC),这是评估此类化合物磁热效应(MCE)的重要参数。通过包含晶体场、交换和 Zeeman 相互作用的模型哈密顿量的理论分析揭示,随 Gd 含量增加,作用于 Ho 离子的晶体场发生了修正。
引用
@article{arxiv.2011.02571,
title = {Spin reorientations and crystal field modification in Ho$_{1-y}$Gd$_y$Al$_2$ compounds},
author = {V. S. R. De Sousa and L. E. L. Silva and A. M. Gomes and P. J. von Ranke},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.02571},
year = {2020}
}
备注
4 pages, 3 figures