临界无序 Be-Al 双层膜中的自旋极化隧穿

我们报道了超薄 Be-Al 双层膜中邻近调制的超导-绝缘体转变的自旋极化隧穿态密度测量。双层样品由厚度可变（$d_\mathrm{Be}=\,$0.8-4.5 nm）的 Be 膜构成，其上沉积有 1 nm 厚的 Al 覆盖层。对方块电阻 $R\sim h/4e^2$ 的样品中 BCS 相干峰塞曼分裂的详细测量，揭示了在临界场附近的超线性塞曼移动。我们的数据表明，临界无序样品具有较宽的能隙分布，且只有分布中较高的部分在接近塞曼临界场时得以存活。这产生了一种反直觉的场依赖关系：能隙随平行场的增大而明显增大。