高磁场下双层石墨烯在ν=0处的自旋极化到谷极化转变
介观与纳米尺度物理
2011-07-05 v2 强关联电子
摘要
我们研究了高磁场下双栅极双层石墨烯中ν=0量子霍尔态（QHS）的横向电场（）依赖性。在ν=0处测量的纵向电阻率（）表现出绝缘行为，在=0附近和大场时最强。在固定垂直磁场（）下，ν=0 QHS随发生转变，以最小且温度无关的为标志。这一观察结果被解释为从小场下的自旋极化ν=0 QHS到大场下的谷（层）极化ν=0 QHS的转变。发生转变的场值与呈线性关系。
引用
@article{arxiv.1102.0265,
title = {Spin-Polarized to Valley-Polarized Transition in Graphene Bilayers at $\nu=0$ in High Magnetic Fields},
author = {Seyoung Kim and Kayoung Lee and Emanuel Tutuc},
journal= {arXiv preprint arXiv:1102.0265},
year = {2011}
}
备注
5 pages, 5 figures