实验证明 \nu=5/2 分数量子霍尔效应中存在自旋极化基态
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v2 强关联电子
摘要
我们研究了 \nu=5/2 奇数分数量子霍尔效应 (FQHE)，在异质结隔离栅场场效应晶体管 (HIGFET) 中进行。电子浓度可从 n=0 调整至 7.6 \times 10^{11} cm^{-2}，最高迁移率 \mu = 5.5 \times 10^6 cm^2/Vs。\nu=5/2 态在最高可达 12.6T 的磁场下表现出对角电阻的显著最小及发展出的霍尔平台电阻。能隙随 B 场的变化呈平滑变化。我们将这些观察解释为 \nu=5/2 处存在自旋极化基态的强有力证据。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0103144,
title = {Experimental Evidence for a Spin-Polarized Ground State in the \nu=5/2 Fractional Quantum Hall Effect},
author = {W. Pan and H. L. Stormer and D. C. Tsui and L. N. Pfeiffer and K. W. Baldwin and K. W. West},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0103144},
year = {2009}
}
备注
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