半导体中与核自旋相互作用的载流子自旋极化恢复与 Hanle 效应

我们报道了关于半导体结构中与涨落核自旋相互作用的载流子自旋极化恢复与 Hanle 效应的理论与实验研究。我们的理论描述始于静态各向同性核自旋涨落的最简单模型，随后描述了由于超精细相互作用的各向异性、有限核自旋关联时间以及强脉冲自旋激发所引起的极化恢复与 Hanle 曲线的修正。对于后者，我们描述了法拉第几何中的共振自旋放大效应，并讨论了量子 Zeno 效应的表现。所选的针对不同结构与实验条件的一组实验结果，旨在凸显理论预言的特定效应。我们表明，自旋极化恢复是研究半导体及其纳米结构中载流子自旋动力学的一种非常有价值的工具。