由强 Rashba 自旋轨道耦合诱导的 T 形导体中的自旋极化
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v2
摘要
我们数值研究了在T形导体中存在Rashba自旋轨道相互作用时的电流自旋极化。该T形导体由 A.A. Kiselev 和 K.W. Kim 提出 (Appl. Phys. Lett. {\bf 78} 775 (2001))。采用递归绿函数方法计算三端口的自旋相关传输概率。我们关注单通道传输，发现当自旋轨道耦合足够强时，自旋极化可接近100%，且电导接近。这可解释为：具有相反自旋态的电子因受到自旋相关的洛仑兹力而被偏转到相反的端口。还讨论了无程噪声对该效应的影响。另外也研究了多通道传输的情况。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0502572,
title = {Spin polarization in a T-shape conductor induced by strong Rashba spin-orbit coupling},
author = {M. Yamamoto and T. Ohtsuki and B. Kramer},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0502572},
year = {2009}
}