各向同性 k 三次方 Rashba 模型中的电流诱导自旋极化：对 p 型掺杂半导体异质结与钙钛矿氧化物界面的理论研究
介观与纳米尺度物理
2018-06-13 v1
摘要
利用 Matsubara 格林函数形式，我们计算了在自旋轨道耦合存在下由外电场诱导的非平衡自旋极化的温度依赖关系。模型哈密顿量包含各向同性的 k 三次方形式 Rashba 自旋轨道相互作用。此类哈密顿量抓住了过渡金属氧化物表面或界面处或 p 型掺杂半导体异质结中二维电子（空穴）气的电子与自旋性质。对非磁性以及磁性电子/空穴气计算了诱导自旋极化。还讨论了自旋极化与 Berry 曲率的关系。
引用
@article{arxiv.1711.07707,
title = {Current-induced spin polarization in isotropic k-cubed Rashba model: Theoretical study for p-doped semiconductor heterostructures and perovskite oxides interfaces},
author = {L. Karwacki and A. Dyrdal and J. Berakdar and J. Barnas},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.07707},
year = {2018}
}
备注
10 pages, 6 figures