具有Rashba自旋轨道耦合的半导体纳米结构中的自旋流诱导电荷积累和电流

我们证明，在具有Rashba自旋轨道耦合（RSOC）的二维电子气中，具有不同自旋极化的纵向自旋流流动将在两端条带结构中诱导不同的电荷积累模式，或在四端霍尔条结构中诱导不同的电流分布。对于面内极化自旋流，电荷将在条带结构的两个侧边或中心附近积累；而对于面外极化自旋流，电荷密度将在两个侧边显示相反符号，从而产生霍尔电压。我们的计算为实验检测或区分具有不同自旋极化的纯自旋流提供了一条新途径。