注入半导体中的超短自旋电流脉冲的自旋极化
材料科学
2018-03-28 v1
摘要
超短自旋电流脉冲在未来超快自旋电子学中具有成为信息载体的巨大潜力。它们表现出时间剖面极度压缩的优异特性，这使得构建在前所未有的 THz 频率下运行的自旋电子学成为可能。然而，超短自旋脉冲仍缺乏其他理想特性。例如，其空间剖面更像是一种溢出，而不是空间压缩的脉冲。此外，超短自旋电流脉冲在金属中只能传播很短的距离。将超短自旋脉冲从必须生成它们的金属铁磁体注入到半导体中，被提出作为克服这两个问题的第一步，这允许激发的电子在散射极少的介质中传播。然而，由于化学和结构稳定性等实际限制，设计用于注入的有效界面具有挑战性。因此，这项工作将注入的研究扩展到更广泛的界面范围，并分析了不同的金属层和半导体如何影响超短脉冲的幅度、自旋极化和持续时间。这为选择有效界面提供了指导，并且同样重要的是，提供了可通过实验测试的趋势。
引用
@article{arxiv.1803.09083,
title = {Spin polarisation of ultrashort spin current pulses injected in semiconductors},
author = {Marco Battiato},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.09083},
year = {2018}
}