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通过原子层沉积生长的自旋霍尔活性铂薄膜

介观与纳米尺度物理 2018-07-04 v1

摘要

我们研究了钇铁石榴石/Pt 异质结构的磁电阻,其中 Pt 层通过原子层沉积(ALD)生长。在三个正交旋转平面中的磁输运实验揭示了自旋霍尔磁电阻的特征标志。我们通过比较不同 Pt 厚度样品的磁电阻大小来估算自旋输运参数。我们将 ALD Pt 层的自旋霍尔角与自旋扩散长度与已报道的高质量溅射沉积 Pt 薄膜的数值进行比较。1.5nm 的自旋扩散长度与文献中报道的铂薄膜吻合良好,而自旋霍尔磁电阻 Δρ/ρ=2.2×105\Delta \rho / \rho = 2.2\times 10^{-5} 约为我们溅射沉积薄膜的 1/20。我们的结果表明,ALD 能够制备适用于自旋输运结构的具有合适质量的自旋霍尔活性 Pt 薄膜。该工作为在任意表面几何形状上建立具有自旋霍尔活性金属的自 conformal ALD 涂层奠定了基础,并可能在未来导向三维自旋电子器件。

关键词

引用

@article{arxiv.1801.04041,
  title  = {Spin-Hall-Active Platinum Thin Films Grown Via Atomic Layer Deposition},
  author = {Richard Schlitz and Akinwumi Abimbola Amusan and Michaela Lammel and Stefanie Schlicht and Tommi Tynell and Julien Bachmann and Georg Woltersdorf and Kornelius Nielsch and Sebastian T. B. Goennenwein and Andy Thomas},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1801.04041},
  year   = {2018}
}

备注

11 pages, 3 figures