声学声子引起的低维激子自旋动力学

我们采用基于 $4\times4$ Luttinger 哈密顿量的多能带模型，研究了量子阱、量子线和量子盘中与声学声子相互作用的激子的自旋动力学。我们还使用 Bir-Pikus 哈密顿量对激子与纵向声学声子和横向声学声子的耦合进行建模，从而为确定激子自旋动力学的细节提供了一个现实的框架。我们使用分数维表示来对激子波函数进行建模，并明确展示了自旋弛豫时间随维度的降低。我们的数值结果与 GaAs/Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As 材料系统各种构型的自旋弛豫时间实验结果一致。我们发现，在涉及声学声子的激子自旋弛豫过程中，纵向和横向声学声子同等重要。