半导体量子点中单个 Cr 原子在光激发下的自旋动力学
介观与纳米尺度物理
2016-08-24 v1
摘要
我们利用光子关联技术研究了掺入 II-VI 族半导体量子点中的 Cr 原子的自旋动力学。我们使用了最近开发的单 Cr 掺杂 CdTe/ZnTe 量子点（A. Lafuente-Sampietro 等人，[1]）来访问单个磁性原子的自旋。在连续波光激发下，量子点发射光子的自相关揭示了局域自旋在约 10 纳秒时间尺度内的涨落。互相关给出了 Cr 自旋态之间的定量转移时间。对 Cr 掺杂量子点中自旋能级布居的时间依赖性计算表明，观测到的自旋动力学受激子-Cr 相互作用控制。这些测量还为 Cr 的内禀自旋弛豫时间提供了约 20 纳秒范围内的下限。
引用
@article{arxiv.1606.05476,
title = {Spin dynamics of an individual Cr atom in a semiconductor quantum dot under optical excitation},
author = {A. Lafuente-Sampietro and H. Utsumi and H. Boukari and S. Kuroda and L. Besombes},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.05476},
year = {2016}
}