半导体量子点中单个 Cr 原子：光学可寻址性与自旋-应变耦合
介观与纳米尺度物理
2016-06-15 v1
摘要
我们展示了嵌入半导体量子点中的单个铬原子 (Cr) 自旋的光学可寻址性。Cr 掺杂量子点的发射及其在磁场中的演化揭示了由局部应变引起的 Cr 自旋的巨大磁各向异性。这导致 Cr 自旋态 0、±1 和 ±2 的零场劈裂，以及磁基态 0 和 ±1 上的热化。观察到的 Cr 强自旋-应变耦合对于开发需要在振荡器中对单个自旋进行相干机械驱动的混合自旋-机械器件具有特殊意义。Cr 掺杂量子点的磁光性质通过包含 Cr 自旋对应变的敏感性以及量子点对称性对载流子-Cr 自旋耦合影响的自旋哈密顿量进行建模。
引用
@article{arxiv.1606.04221,
title = {Individual Cr atom in a semiconductor quantum dot: optical addressability and spin-strain coupling},
author = {A. Lafuente-Sampietro and H. Utsumi and H. Boukari and S. Kuroda and L. Besombes},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.04221},
year = {2016}
}