通过高k LaAlO3 的自旋相关隧穿

V. Garcia; M. Bibes; J. -L. Maurice; E. Jacquet; K. Bouzehouane; J. -P. Contour; A. Barthelemy

doi:10.1063/1.2132526

通过高k LaAlO3 的自旋相关隧穿

材料科学 2009-11-11 v1 介观与纳米尺度物理

作者: V. Garcia , M. Bibes , J. -L. Maurice , E. Jacquet , K. Bouzehouane , J. -P. Contour , A. Barthelemy

在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗ DOI ↗

摘要

我们报道了将 LaAlO3 (LAO) 高k介电材料作为磁性隧道结中隧穿势垒的应用。通过对外延 La2/3Sr1/3MnO3/LAO/La2/3Sr1/3MnO3 隧道结的隧穿磁阻 (TMR) 测量,我们估算出 La2/3Sr1/3MnO3/LAO 界面在低温下的自旋极化率为 77%。值得注意的是,La2/3Sr1/3MnO3/LAO/Co 隧道结在低偏压下的 TMR 为负值,表明 Co 在与 LAO 的界面处具有负自旋极化,且其偏压依赖性与 La2/3Sr1/3MnO3/STO/Co 隧道结非常相似。我们讨论了产生这一行为的可能原因。

关键词

自旋相关隧穿高k介电材料 LaAlO3 磁性隧道结隧穿磁阻自旋极化

引用

@article{arxiv.cond-mat/0507437,
  title  = {Spin-dependent tunneling through high-k LaAlO3},
  author = {V. Garcia and M. Bibes and J. -L. Maurice and E. Jacquet and K. Bouzehouane and J. -P. Contour and A. Barthelemy},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0507437},
  year   = {2009}
}

备注

14 pages, 3 figures

通过高k LaAlO3 的自旋相关隧穿

摘要

关键词

引用

备注

相关论文