多轨道量子自旋霍尔绝缘体的自旋与电荷输运
介观与纳米尺度物理
2019-05-22 v1
摘要
在 SiC 上制备铋烯为利用衬底工程制造由第 V 族原子构成的室温量子自旋霍尔绝缘体铺平了道路。我们在这些二维材料中进行了大规模量子输运计算，以分析由拓扑、无序、谷和自旋自由度之间相互作用所产生的丰富现象。为此，我们考虑了一个最小的多轨道实空间紧束缚哈密顿量，并使用了切比雪夫多项式展开技术。我们讨论了量子自旋霍尔态如何受到无序、子晶格分辨势和 Rashba 自旋轨道耦合的影响。
引用
@article{arxiv.1811.05054,
title = {Spin and Charge Transport of Multi-Orbital Quantum Spin Hall Insulators},
author = {Luis M. Canonico and Tatiana G. Rappoport and R. B. Muniz},
journal= {arXiv preprint arXiv:1811.05054},
year = {2019}
}