欠掺杂铜氧化物的谱系特性
强关联电子
2007-05-23 v1
摘要
在平面 t-J 模型框架下，我们分析了准导数下态密度函数中准能隙的发展，该准能隙在低掺杂温度T<J开始出现，并持续到最佳掺杂为止。该分析基于使用有限温度 Lanczos 方法对有限二维簇得到的谱函数数值结果。此外，我们将数值结果与在T=0下针对空穴样（光子发射）和电子样（反光子发射）的自洽 Born 近似（SCBA）结果进行比较。分析表明，准能隙的来源是短程反亚历山大（AFM）自旋关联以及在欠掺杂 regime 中空穴和电子谱系之间的强不对称性。我们还分析了电子动量分布函数（EMD）。针对基于SCBA的单空穴解析结果表明，EMD显示出异常的动量依赖性，表现为“空穴压缩”与新出现的大费米面（FS）共存。准能隙位置和 EMD 的结构由基态的动量决定。主要观察到两种看似矛盾的 FS 场景的共存。一方面，位于 (pi/2,pi/2) 处的δ函数样本表明，在有限掺杂下，如果AFM 长程有序，一种类似小 FS 的压缩会从这些点演化而来。另一方面，相同动量处出现的断裂更一致于一种新出现的大 FS 的微小短弧（点）样本。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0109230,
title = {Spectral properties of underdoped cuprates},
author = {A. Ramsak and P. Prelovsek and I. Sega},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0109230},
year = {2007}
}
备注
published in Proc. of the NATO ARW on Open Problems in Strongly Correlated Electron Systems (Bled 2000), edited by J. Bonca, P. Prelovsek, A. Ramsak, and S. Sarkar (Kluwer, Dordrecht, 2001), p. 33-42; [http://www.wkap.nl/book.htm/0-7923-6896-7]