Sn$_{0.06}$Cr$_3$Te$_4$：一种斯格明子超导体

拓扑超导体因其基础科学意义与潜在技术应用，是一类令人振奋的量子材料。在此，我们报道了通过 Sn 插层在铁磁层状斯格明子体系 Cr$_3$Te$_4$ 中成功引入超导电性，其转变温度低于 $T_c$$\approx$3.5 K。我们在该体系中同时观察到超导电性、磁性和拓扑霍尔效应等若干有趣的物理性质。尽管磁性与迈斯纳效应是各向异性的，但从面内电阻率（$\rho_{\it{bc}}$）观测到的超导电性在 $H\parallel \it{bc}$ 与 $H\parallel \it{a}$ 之间近乎各向同性，表明该体系中存在分别负责超导电性与磁性的独立传导电子通道，这也得到了我们自旋分辨 DFT 计算的支持。我们确定超导 Sn$_{0.06}$Cr$_{3}$Te$_4$ 的载流子密度比母体 Cr$_3$Te$_4$ 高两个数量级。在 $T_c$ 附近注意到比热的跃变，体积分数为 33%，证实了 Sn$_{0.06}$Cr$_{3}$Te$_4$ 中的体超导电性。除引入超导电性外，还观察到 Sn 插层对拓扑霍尔性质的调控。我们在斯格明子晶格中观测到超导电性，由此提出了一类新的拓扑量子材料。