含O-O跳跃的 slave-boson三带模型用于高T_c超导体

对CuO_2导电平面进行 slave-boson均场近似分析，考虑Cu-O电荷转移能$\Delta_{pd}$、Cu-O跳跃$t_0$、O-O跳跃$t'$以及Cu位点上空洞之间的相互作用$U_d$（取为无穷）。在掺杂系数$\delta=0$时，具有负的$t',|t'|<t_0/2$，可在损耗 insulating state 的条件下扩大共价、导电态的稳定范围。对于足够大的$\Delta_{pd}$，重新标定后的电荷转移能在$t'\neq0$时饱和于$4|t'|$，而非在$t'=0时减小至零。与$t'不同的是，有限的$\delta$对$t'的符号几乎对称地抑制insulating state。电荷转移能接近$4|t'|$的再标定 regime 能很好地符合Bi2212和LSCO的ARPES谱，并在后者案例中解释了其强掺杂依赖的Cu-O跳跃。