带化学势的 1+1 维 Skyrmion 的形成

在相变过程中拓扑对象的形成在文献中已广泛讨论。在所有这些讨论中，缺陷和抗缺陷的形成概率相等。相反，许多物理情形，如在当前能量下的相对论性重离子碰撞中产生 baryons、在外部磁场存在下的超导体中发生通量管形成，以及在旋转容器中形成超流涡旋，都需要一种机制来偏向（例如）缺陷而非抗缺陷。这种偏向对缺陷-抗缺陷相关性以及缺陷密度的影响至关重要。本文我们针对缺陷偏向形成的基本机制进行了初始调查。对于 1+1 维的 Skyrmion，我们证明将化学势项纳入有效势后，导致 order 参数在空间上呈现变化的域结构。我们表明，这导致 Skyrmion 的偏向形成。