在连续铁磁薄膜中实现的斯格明子布朗电路
介观与纳米尺度物理
2020-05-12 v2
摘要
制造能够稳定斯格明子的斯格明子电路对于实现微米到纳米尺寸的斯格明子器件十分重要。基于斯格明子的器件中一个有前景的例子是布朗计算机，其已在理论上被提出但尚未实现。这将需要一个能够稳定斯格明子且易于移动的斯格明子电路。然而，通常通过刻蚀铁磁薄膜制成的常规斯格明子电路会降低稳定斯格明子的退磁场，从而阻碍其形成。在本研究中，一种在连续铁磁薄膜中通过图案化SiO覆盖层来实现以稳定斯格明子形成的斯格明子布朗电路被提出。图案化SiO覆盖层控制了铁磁层的饱和场并形成线形斯格明子势阱，从而在电路中稳定斯格明子的形成。此外，我们通过图案化SiO覆盖层实现了在结点处无钉扎位的集线器（Y形结）电路。该技术能够高效控制基于斯格明子的存储与逻辑器件以及布朗计算机。
引用
@article{arxiv.1909.10130,
title = {Skyrmion Brownian circuit implemented in a continuous ferromagnetic thin film},
author = {Yuma Jibiki and Minori Goto and Eiiti Tamura and Jaehun Cho and Soma Miki and Hikaru Nomura and Titiksha Srivastava and Willy Lim and Stephane Auffret and Claire Baraduc and Helene Bea and Yoshishige Suzuki},
journal= {arXiv preprint arXiv:1909.10130},
year = {2020}
}
备注
9 pages, 6 figures