由面内电流产生斯格明子-反斯格明子对

磁性斯格明子可被视为拓扑保护的局域涡旋状自旋纹理。由于其稳定性、小尺寸以及可通过低电流移动它们，它们是自旋电子器件的理想候选者。在不违反拓扑保护的情况下，只要总拓扑荷保持不变，就可能产生斯格明子-反斯格明子对。我们推导了斯格明子运动方程，揭示了自旋极化电荷电流如何产生斯格明子-反斯格明子对。它使得能够确定对产生过程的通用前提条件。我们通过数值模拟证实了这些普遍原理。在晶格上，拓扑保护变得不完美，这些对中的反斯格明子伴侣被湮灭，仅存斯格明子。这最终改变了总斯格明子数，并提供了一种创建和控制斯格明子的新方法。