巡游磁体中高拓扑数的零场斯格明子
强关联电子
2018-10-24 v1
摘要
磁性斯格明子是具有拓扑保护非共面性的旋涡状自旋结构。最近，拓扑数为一的斯格明子在实验和理论中均得到了广泛研究。本文表明，在巡游磁体中，拓扑数异常高为2的斯格明子晶格在零磁场下是稳定的。该结果是通过在三角晶格上的最小Kondo晶格模型进行无限制大规模数值模拟和变分计算获得的。我们发现拓扑数可以通过磁场切换，即 。斯格明子晶格由费米面效应诱导的三个自旋密度波叠加形成，因此，斯格明子的尺寸可以通过能带结构和电子填充来控制。我们还讨论了在数值模拟中直接获得的斯格明子晶格中巡游电子的电荷和自旋结构。
引用
@article{arxiv.1703.03227,
title = {Zero-field Skyrmions with a High Topological Number in Itinerant Magnets},
author = {Ryo Ozawa and Satoru Hayami and Yukitoshi Motome},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.03227},
year = {2018}
}
备注
5 pages, 2 figures