从隧穿到原子点接触的电导的位点依赖演化
介观与纳米尺度物理
2015-06-11 v1
摘要
利用扫描隧道显微镜(STM)，我们研究了在原子精度定义的位点上，Pb针尖与Pb(111)表面之间从隧穿到原子点接触的电导演化。我们发现电导演化依赖于接触位点，例如Pb晶格中的on-top、bridge或hollow(hcp和fcc)位点。在从隧穿到接触区的转变中，在on-top位点测量的电导增强。在点接触区，hollow位点具有比其他位点更大的电导，并且在hollow位点之间，hcp位点电导大于fcc位点。我们还在原子分辨的高电流STM图像中观察到表观高度的增强和反转，这与电导迹线结果一致。我们的结果表明原子构型在原子结电导中的重要性，并表明吸引化学相互作用在接触原子间的电子输运中起重要作用。
引用
@article{arxiv.1504.05494,
title = {Site-dependent evolution of electrical conductance from tunneling to atomic point contact},
author = {Howon Kim and Yukio Hasegawa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1504.05494},
year = {2015}
}
备注
main text: 22 pages, 4 figures, supplemental materials: 9 pages, 10 figures