利用 OKMC 计算位错与环的阱强度
材料科学
2014-07-29 v1
摘要
我们利用对象动力学蒙特卡洛 (OKMC) 方法计算了位错和环形吸收体的阱强度，并与理论表达式进行了比较。对于三维迁移缺陷，在体积分数较低的情况下，位错和环形吸收体的计算结果与理论值吻合良好；对于一维迁移缺陷与位错的情况，吻合度尚可。三维至一维转变的主曲线在环形吸收体情形下得到了很好的重现，在位错情形下也重现得较好。我们得出结论：一方面，主曲线适用于广泛的阱；另一方面，只要能找到一种有效的方法来适当引入待研究的阱，OKMC 技术本质上就能正确考虑任意形状阱的强度。
引用
@article{arxiv.1407.7218,
title = {Sink strength calculations of dislocations and loops using OKMC},
author = {Ville Jansson and Lorenzo Malerba and Andrée De Backer and Charlotte S. Becquart and Christophe Domain},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.7218},
year = {2014}
}