面内磁化 GdCo 合金中的单激光脉冲诱导磁化翻转
介观与纳米尺度物理
2023-08-22 v1
摘要
全光超快确定性磁化翻转的发现为利用飞秒激光脉冲操控器件中的磁化开辟了新可能。先前关于单脉冲全光螺旋度无关翻转（AO-HIS）的研究主要集中于垂直磁化薄膜。本工作对面内磁化 GdxCo100-x 薄膜的 AO-HIS 进行了全面研究。与厚度达 30 nm 的垂直磁化对应样品相比，在更宽的浓度范围（x=10% 至 25%）内展示了确定性的单飞秒激光脉冲翻转磁化切换。翻转时间强烈依赖于 GdxCo100-x 浓度，较低的 Gd 浓度表现出更短的翻转时间（小于 500 fs）。我们在该几何结构中的发现为支配单脉冲 AO-HIS 的潜在机制提供了见解，这对现有理论预测提出了挑战。此外，与垂直磁化对应样品相比，面内磁化 GdxCo100-x 薄膜为光自旋电子学应用提供了更广的潜力。
引用
@article{arxiv.2308.10516,
title = {Single laser pulse induced magnetization switching in in-plane magnetized GdCo alloys},
author = {Jun-Xiao Lin and Michel Hehn and Thomas Hauet and Yi Peng and Junta Igarashi and Yann Le Guen and Quentin Remy and Jon Gorchon and Gregory Malinowski and Stéphane Mangin and Julius Hohlfeld},
journal= {arXiv preprint arXiv:2308.10516},
year = {2023}
}
备注
19 pages, 4 figures