通过反应等离子体刻蚀制备 NbSe$_2$单晶超导纳米线
超导电性
2014-05-07 v2
摘要
我们展示了单晶 NbSe纳米线的制备与测量。这些纳米线是在超薄（）NbSe薄片上制备的，该薄片通过机械剥离块体单晶获得，并采用了结合电子束光刻与反应等离子体刻蚀的工艺。纳米线的电接触采用 Ti/Au 制备。我们的技术克服了以往制备超导纳米线方法的若干局限性，同时也允许制备具有特定几何形状的复杂超导纳米结构。我们首次测量了宽度低至 30~nm、横截面积低至 270 nm的单个超导单晶纳米线的电流 - 电压特性。
引用
@article{arxiv.1311.1773,
title = {Single-crystal superconducting nanowires of NbSe$_2$ fabricated by reactive plasma etching},
author = {Shaun A. Mills and Neal E. Staley and Jacob J. Wisser and Chenyi Shen and Zhuan Xu and Ying Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.1773},
year = {2014}
}