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铜氧化物中的 SIN 和 SIS 隧穿

超导电性 2009-10-31 v1 强关联电子

作者: Ar. Abanov , Andrey V. Chubukov

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摘要

我们计算了自旋-费米子模型的 SIN 和 SIS 隧穿电导。我们论证，在强自旋-费米子耦合（与铜氧化物相关）条件下，当隧穿电子开始发射传播自旋激发时，两种电导在阈值频率附近均呈现凹陷特征。我们提出，通过分析 SIN 和 SIS 电导的导数，可以从隧穿数据中推断中子散射测量到的共振自旋频率。

关键词

SIN 隧穿 SIS 隧穿自旋-费米子模型铜氧化物隧穿电导自旋激发中子散射共振自旋频率

引用

@article{arxiv.cond-mat/0001125,
  title  = {SIN and SIS tunneling in cuprates},
  author = {Ar. Abanov and Andrey V. Chubukov},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0001125},
  year   = {2009}
}

备注

5 pages, 3 figures