NO 在原子级薄铜层上解离吸附的模拟研究
材料科学
2011-05-16 v1
摘要
为探究铜原子尺度结构的化学反应活性，我们基于密度泛函理论中的广义梯度近似进行了模拟。研究发现，形成三角晶格的铜原子层具有稳定结构。一氧化氮分子吸附于三角晶格的某些原子位点或铜的原子台阶结构上。在三角晶格上的分子吸附能为 -0.83 eV。我们的数据表明，NO 的解离吸附是可能的，解离能为 -1.08 eV，能垒约为 1.4 eV。在此优化结构中，氮原子和氧原子嵌入铜层内。在台阶处，NO 吸附于桥位，Cu-(NO)-Cu 局域键连接的形成能估计约为 -1.32 eV。在原子台阶结构附近，NO 发生分子解离也是可能的，解离能为 -0.37 eV。
引用
@article{arxiv.1105.2710,
title = {Simulations of NO dissociative adsorption on an atomically thin Cu layer},
author = {S Nogami and H Kizaki and K Kusakabe},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.2710},
year = {2011}
}
备注
11 pages, 5 figures