IV 族化合物半导体中生长动力学的模拟
材料科学
2020-01-23 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们提出一种随机模拟方法，旨在以原子分辨率研究以 sp3 型成键对称性为特征的化合物的生长动力学。针对 3C-SiC 材料的特例讨论了形式化与实现细节。我们数值工具的一个关键特性是能够模拟点缺陷与扩展缺陷的演化，而原子动力学关键依赖于与工艺相关的参数。特别地，该模拟可描述晶体的表面状态，以及缺陷随初始衬底条件和模拟参数标定而生成与演化。我们证明，所研究体系微结构演化的定量预测可与实际加工样品的结构表征直接比较。
引用
@article{arxiv.2001.07980,
title = {Simulation of the growth kinetics in group IV compound semiconductors},
author = {A. La Magna and A. Alberti and E. Barbagiovanni and C. Bongiorno and M. Cascio and I. Deretzis and F. La Via and E. Smecca},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.07980},
year = {2020}
}