基于垂直形状各向异性的纳米柱中磁化开关的仿真
介观与纳米尺度物理
2025-08-04 v2
摘要
垂直形状各向异性自旋力矩随机存取存储器(PSA-STT-MRAM)是一种最近提出的概念，旨在考虑厚的垂直柱体作为自由层，以维持标准MRAM的热稳定性。为了探索PSA-STT-MRAMs预期的特定物理特性，尤其是其三维本质，我们进行了仿真，组合了耦合自洽的微磁模型和自旋依赖传输方程。三维形状在上表面和下表面诱导花瓣态。此外，发现STT的场向分量大于标准MRAMs，这表明需要考虑。两种效应的组合导致了高阶三维铁磁共振模的激发，在磁化反转中发挥关键作用。这些结果突显了三维纳米磁系统的特征——迄今为止 largely 被忽视的特征——这需要被考虑才能优化PSA-STT-MRAM以成为具有竞争力的技术实现解决方案。
引用
@article{arxiv.2503.15388,
title = {Simulation of current-driven magnetisation switching in nanopillars with Perpendicular Shape Anisotropy},
author = {Natalia Boscolo Meneguolo and Daria Gusakova and Jean-Christophe Toussaint and Mouad Fattouhi and Ioan-Lucian Prejbeanu and Olivier Fruchart},
journal= {arXiv preprint arXiv:2503.15388},
year = {2025}
}