利用飞行时间技术评估单晶 CVD 金刚石的二氧化硅钝化
材料科学
2014-03-25 v1
摘要
金刚石优异的材料特性使其在许多常规电子材料无法企及的极端电子应用中极具吸引力。为使商用金刚石器件成为现实，必须具备有效的表面钝化，因为钝化决定了器件承受高表面电场的能力。本文展示了关于 SiO2 钝化本征单晶 CVD 金刚石的横向飞行时间研究数据。SiO2 薄膜采用三种不同技术沉积。研究了钝化对空穴传输的影响，该影响导致空穴迁移率的增加。比较了三种不同钝化的结果。
引用
@article{arxiv.1401.5385,
title = {Silicon Oxide Passivation of Single-Crystalline CVD Diamond Evaluated by the Time-of-Flight Technique},
author = {Kiran Kumar Kovi and Saman Majdi and Markus Gabrysch and Jan Isberg},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.5385},
year = {2014}
}