碳化硅辅助优化良好的 Ti$_3$SiC$_2$ 刻蚀 MXene 中磁相共存
应用物理
2020-06-17 v1 材料科学
摘要
在此，我们报道了通过从碳化钛硅（TiSiC）MAX 相中选择性刻蚀硅，首次成功剥离二维 TiCT MXene。MXene 的成功刻蚀与剥离通过所有 (00l) 峰向低角度偏移以及 c 晶格参数增大得以确认，此由 X 射线衍射技术测定以详述材料结构。多层 MXene 的 c 晶格参数为 19.34{\AA}，剥离后增至 26.22 {\AA}，表明 TMA+ 离子在 MXene 片层间成功插层。扫描电子显微镜（SEM）图像显示二维层状结构的形成。刻蚀 MXene 样品的磁学测量使用超导量子干涉器件（SQUID: Quantum Design）进行。磁化强度-磁场（M-H）曲线清晰表明低温与室温下均以铁磁为主的滞回回线，以及因 MXene 结构中存在碳化硅（SiC）而出现的小抗磁相。SiC 相的存在通过 XRD 与拉曼光谱确认，显示出二维 MXene 结构内 SiC 的尖锐峰与振动模式。本工作展示了铁磁与抗磁相的共存，使其成为适用于未来自旋电子器件的二维材料。
引用
@article{arxiv.2006.08936,
title = {Silicon carbide-assisted co-existence of magnetic phases in well-optimized Ti$_3$SiC$_2$-etched MXene},
author = {Qandeel Noor and Syedah Afsheen Zahra and Syed Rizwan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.08936},
year = {2020}
}
备注
16 pages