多层石墨烯应变调控畴壁在量子霍尔效应中的特征
介观与纳米尺度物理
2022-02-16 v1
摘要
畴壁是定义多层石墨烯中不同堆垛区域边界的拓扑缺陷，已被证明承载了引人入胜的物理现象。在电子输运实验中原位调控这些拓扑缺陷的能力，为畴壁的基础理解以及电子应用带来了丰富的可能性。在此，我们通过 MEMS（微机电系统）致动器和磁电阻测量展示了多层石墨烯量子霍尔效应中畴壁的影响。可逆且受控的单轴应变触发了这些拓扑缺陷，表现为新的量子霍尔效应平台以及器件中电流的离散且可逆的调制。我们的发现得到了理论计算的支持，并构成了通过电子输运探测多层石墨烯中拓扑缺陷原位调控的首个迹象，为在电子应用中使用可逆拓扑缺陷开辟了道路。
引用
@article{arxiv.2012.13153,
title = {Signature of multilayer graphene strain-controlled domain walls in quantum Hall effect},
author = {Paul Anderson and Yifan Huang and Yuanjun Fan and Sara Qubbaj and Sinisa Coh and Qin Zhou and Claudia Ojeda-Aristizabal},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.13153},
year = {2022}
}