用于海洋世界探索的 SiGe BiCMOS 电路设计：仅使用 PMOS 和 HBT 的方法
仪器与探测器
2024-11-26 v1 应用物理
摘要
向探索我太阳系及更广阔星系中拥有海洋的外星球，以寻找地外生命生物标志物，需要设计和制造能够在极端环境下生存的稳健可靠的电子系统，用于传感、数据处理、控制电机/执行器和通信。商业可得元件(COTS)在被封装于温暖电子盒后，难以长期在如此恶劣的环境中存活，任何为如此极端条件设计的电子系统都必须针对特定操作进行优化。极端的低温和高辐射环境会随时间影响器件参数，即电子系统的运行。
关键词
引用
@article{arxiv.2411.16093,
title = {SiGe BiCMOS Circuit Design using only PMOS and HBTs Approach for the Ocean Worlds Exploration},
author = {Md Omar Faruk and Steven Corum and Zakaraya Hamdan and Alex Seaver and Travis Graham and Benjamin J. Blalock},
journal= {arXiv preprint arXiv:2411.16093},
year = {2024}
}