shot noise 与自旋轨道相干控制：针对纠缠态和自旋偏极电子

我们扩展了之前关于在带有自旋轨道(s-o)相互作用的单向射线器几何中，对纠缠态和自旋偏极电子的shot noise的研究。在考虑了Dresselhaus和Rashba自旋轨道项的基础上，我们在散射方法中推导了关于singlet和triplets态shot noise的通用公式。我们确定了系统的完整散射矩阵，针对一个由两条轨道通道通过弱s-o相互作用导致能级反穿越的导体的情况。我们表明，这种能级间耦合在平面内将电子在不同通道之间传递，并导致一种额外的调制角——该角度取决于Rashba和Dresselhaus相互作用强度——从而允许对通过进入导体的电子进行进一步的独立相干控制。我们为各种纠缠对(例如Bell态)和导体自旋极化推导了明确的shot noise公式。有趣的是，对于沿垂直于导体1(具有局部s-o相互作用)和平面内的量子化轴所定义的singlet和每个triplet态，在能注入能接近能级反穿越处时，显示出区别于其他态的独特shot noise特征；因此，可以通过噪声测量将所有triplet态以及singlet态区分开来。我们还发现，由于导体1中由自旋轨道引起的散射，导致噪声振荡的可见性降低，这是由于该导体中的额外分区噪声所致。最后，我们考虑了将两粒子波包注入到多个离散状态的导体中，发现通过噪声的集中效应和反集中效应仍可观察到两粒子纠缠。