用于人工自旋电子漏积分发放神经元基于形状的磁畴壁漂移
应用物理
2019-09-24 v1 介观与纳米尺度物理
新兴技术
摘要
基于磁畴壁 (DW) 在铁磁纳米线轨道中运动的自旋电子器件作为神经形态信息处理系统的组件已受到极大关注。先前关于自旋电子人工神经元的方案需要外部刺激来实现泄漏功能，而泄漏功能是漏积分发放 (LIF) 神经元三大基本功能之一。这种外部磁场或电流刺激的使用要么导致能效降低，要么导致制备复杂性增加。在本工作中，我们修改了先前已论证的三端磁隧道结神经元的形状，以在无任何外部刺激的情况下执行泄漏操作。梯形结构引起基于形状的 DW 漂移，从而以零硬件代价本征地提供泄漏功能。因此，该 LIF 神经元有望推进自旋电子神经网络交叉阵列的发展。
引用
@article{arxiv.1905.05485,
title = {Shape-based Magnetic Domain Wall Drift for an Artificial Spintronic Leaky Integrate-and-Fire Neuron},
author = {Wesley H. Brigner and Naimul Hassan and Lucian Jiang-Wei and Xuan Hu and Diptish Saha and Christopher H. Bennett and Matthew J. Marinella and Jean Anne C. Incorvia and Felipe Garcia-Sanchez and Joseph S. Friedman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.05485},
year = {2019}
}