基于磁畴壁的神经元自复位方案
介观与纳米尺度物理
2022-12-06 v3
摘要
自旋电子人工脉冲神经元因能紧密模拟生物 LIF（漏积分放电）脉冲神经元的漏积分放电（LIF）动力学而颇具前景。然而，神经元在放电后需要被复位。文献中提出的少数自旋电子神经元鲜有详细讨论复位过程。本文中，我们讨论了在基于磁畴壁（DW）的自旋电子神经元中实现该复位的各种方案，其中 DW 的位置代表膜电位。在所研究的全部自旋电子神经元中，当 DW 到达特定位置时，神经元进入不应期并被复位。我们表明，神经元器件中的自复位操作消耗的能量可在数 pJ 至几 fJ 之间变化，这凸显了复位策略对提升自旋电子人工脉冲神经元能效的重要性。
引用
@article{arxiv.2210.13881,
title = {Self-reset schemes for Magnetic domain wall-based neuron},
author = {Debasis Das and Xuanyao Fong},
journal= {arXiv preprint arXiv:2210.13881},
year = {2022}
}