电子器件中的半分流场致发射
介观与纳米尺度物理
2015-06-22 v1
摘要
我们引入了代表短于器件电极间距的针状金属突起的半分流概念。由于类似避雷针的场增强效应，它们会诱发强烈的电子发射。我们考虑了其在光伏应用中的相应特征效应：低开路电压和指数级增强的随机器件漏电。将所提出的理论与我们基于 CdTe 的太阳能电池数据进行对比，得出结论：应力可刺激半分流的生长，使其成为分流失效的前兆。同时，可控的半分流可在光伏中发挥积极作用，缓解背场效应。
引用
@article{arxiv.1406.3874,
title = {Semi-shunt field emission in electronic devices},
author = {Victor Karpov and Diana Shvydka},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.3874},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 5 figures