基于高阻半导体晶体且半导体-金属边界具有薄绝缘层结构中的光电现象
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
在高阻（半绝缘）半导体 CdTe 晶体的真实光敏电阻中（金属-薄绝缘层-半导体-薄绝缘层-金属结构），发现并研究了一种此前未知的效应——光照下晶体中电场强度的巨大空间再分布。本文提出了高阻半导体晶体中光电现象的新概念，该概念基于如下思想：在载流子寿命保持不变的条件下，光照下电场的再分布在这些现象中起决定性作用。描述了该效应的本质，解释了结构特性对晶体和绝缘层参数的依赖关系是由该效应的显现所导致的，并探讨了制备具有预定光电特性的结构以用于新器件和科学方法的途径。
引用
@article{arxiv.0704.2703,
title = {Photoelectric phenomena in structures based on high-resistivity semiconductor crystals with a thin insulator layer at the semiconductor-metal boundary},
author = {P. G. Kasherininov and A. V. Kichaev and A. A. Tomasov},
journal= {arXiv preprint arXiv:0704.2703},
year = {2007}
}
备注
8 pages, 8 figures