多路散射理论中的自互作用校正
强关联电子
2016-08-16 v3
摘要
我们提出了一种基于多路散射理论的自互作用校正局域密度泥克 (SIC-LSD) 近似方法，该方法在 KKR 方法中局部实现自互作用校正。这种新的 SIC-LSD 方法的多路散射特性允许描述其晶体势随空间位置变化的体系，并使用相干势近似 (CPA) 计算对此类势的平均物理量。这一特性使得 SIC 可用于合金和伪合金，这些合金可描述无序局域磁矩体系以及中间价体系。作为该方法的演示，我们研究了著名的 Ce 中的 α-γ 相变，并解释了 SIC 在多路散射理论中的工作方式。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0406515,
title = {Self-interaction correction in multiple scattering theory},
author = {M. Lüders and A. Ernst and M. Däne and Z. Szotek and A. Svane and D. Ködderitzsch and W. Hergert and B. L. Györffy and W. M. Temmerman},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0406515},
year = {2016}
}
备注
17 pages, 17 figures, 4 tables, replaced by published version