自场效应对扁平超导带材临界电流密度的影响
超导电性
2010-08-31 v3
摘要
我们发展了一个普适理论，用于自洽地解释自场效应对处于混合态的第II类扁平超导带材的平均输运临界电流密度Jc的影响，其中体钉扎由场依赖的脱钉临界电流密度Jp(B)表征，B为局域磁通密度。我们首先考虑了体钉扎和边缘钉扎贡献的可能性，但得出结论：在最先进的YBCO薄膜和原型第二代涂层导体中，体钉扎主导了几何边缘势垒效应。我们以Kim模型JpK(B) = JpK(0)/(1+|B|/B0)为例应用我们的理论。我们计算了Jc(Ba)作为垂直外加磁感应强度Ba的函数，并展示了Jc(Ba)如何与JpK(B)相关联。我们发现，当Ba > Ba*时，Jc(Ba)几乎等于JpK(Ba)，其中Ba*是使带材边缘净磁通密度为零的Ba值。然而，当Ba < Ba*时，Jc(Ba)相对于JpK(Ba)在低场下受到抑制，最大的抑制发生在Ba*/B0约为1或更大时。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0410093,
title = {Self-field effects upon the critical current density of flat superconducting strips},
author = {Ali A. Babaei Brojeny and John R. Clem},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0410093},
year = {2010}
}
备注
9 pages, 4 figures, minor revisions to add four references