片上器件中 Seebeck 驱动的横向量子热电发电
材料科学
2022-06-03 v2
摘要
近期提出并演示了一种通过结合磁性材料与热电材料来增强横向量子热电势的非常规方法，即 Seebeck 驱动的横向量子热电发电（STTG）。在此，我们改进了先前使用的样品结构，并在片上器件中因 STTG 实现了超过 40 V K 的大横向量子热电势。我们将多晶 Fe-Ga 合金薄膜直接沉积在 n 型 Si 衬底上，其中 Fe-Ga 和 Si 分别作为磁性材料和热电材料。利用微加工，在 Si 顶部的 SiO 层上制作接触孔，以将 Fe-Ga 薄膜与 Si 衬底电连通。这些结构简单的薄器件清晰地展现了因 STTG 带来的横向量子热电势增强，且所得数值在 Fe-Ga 薄膜与 Si 衬底的尺寸比宽范围内与估算值吻合良好。
引用
@article{arxiv.2203.12172,
title = {Seebeck-driven transverse thermoelectric generation in on-chip devices},
author = {Weinan Zhou and Takamasa Hirai and Ken-ichi Uchida and Yuya Sakuraba},
journal= {arXiv preprint arXiv:2203.12172},
year = {2022}
}
备注
8 pages, 7 figures