通过拉伸GaAs纳米线阵列调控二次谐波产生
光学
2022-01-28 v1 应用物理
摘要
我们展示了一种包含柔性聚合物中III-V族纳米线的可穿戴器件，用于二次谐波产生强度的主动机械调控。通过金属有机气相外延生长了垂直GaAs纳米线阵列，随后将其嵌入聚二甲基硅氧烷中，并通过机械剥离从刚性衬底上分离。实验结果表明，在30%拉伸下二次谐波产生强度可实现两倍的可调性，这与包含尺寸分布的模拟结果相符。我们研究了间距、长度和直径等不同参数对能带色散及二次谐波产生可调性的影响。我们预测纳米线阵列的非线性信号强度主动机械调控至少可达三个数量级。该阵列的柔性与谐振波长工程相结合，使此类结构成为未来可弯曲或可拉伸纳米光子器件（如光源或传感器）极具前景的平台。
引用
@article{arxiv.2201.11492,
title = {Second-harmonic generation tuning by stretching arrays of GaAs nanowires},
author = {Grégoire Saerens and Esther Bloch and Kristina Frizyuk and Olga Sergaeva and Viola V. Vogler-Neuling and Elizaveta Semenova and Elizaveta Lebedkina and Mihail Petrov and Rachel Grange and Maria Timofeeva},
journal= {arXiv preprint arXiv:2201.11492},
year = {2022}
}
备注
Paper has 18 pages and 5 figures