低密度中子物质中配对相互作用的屏蔽与反屏蔽

我们研究低密度中子物质中的配对，包含由粒子-空穴和 RPA 激发交换引起的屏蔽相互作用。作为裸力，我们采用有效的低动量相互作用 $V_{low\,k}$，而 Fermi 液体参数取自唯象能量密度泛函（SLy4），其正确再现了中子物质的状态方程。在低密度下，我们发现屏蔽，即配对被削弱；而在较高密度下，我们发现反屏蔽，即配对被增强。这种增强主要源于强吸引的 Landau 参数 $f_0$。我们详细讨论了低密度极限下的临界温度 $T_c$，并指出只有将 $V_{low\,k}$ 相互作用的截断随 Fermi 动量缩放，才能重现 Gor'kov 与 Melik-Barkhudarov 所预言的 $T_c$ 抑制。我们还在 Nozières-Schmitt-Rink 理论框架下讨论了非凝聚配对对 $T_c$ 密度依赖性的影响。