石墨烯等离子体晶体中的屏蔽拓扑等离子体

我们研究了在周期性调制的石墨烯薄片上方放置金属基板形成的二维等离子体晶体中出现的屏蔽等离子体的拓扑效应。为此，我们发展了对无耗损石墨烯（以 Drude 导电性描述）中屏蔽等离子体量子化理论。通过分析所得能带结构，我们表明该晶体保持非平凡拓扑能带，具有量化的几何相位。进一步我们表明，在有限开放系统中，边缘态出现于能隙中，这些边缘态随调制程度增加发生拓扑相变并与浦洛态合并。我们的工作为研究分层介质的能带结构和拓扑性质提供了稳健的理论框架，并扩展了通过外部调制实现二维材料工程的可能性。