低能高电荷态离子束产生的闪烁光
原子物理
2008-11-26 v1 仪器与探测器
摘要
我们对各种无机闪烁体在受到来自电子束离子源 (EBIS) 和电子回旋共振离子源 (ECRIS) 的低能高电荷态离子束辐照时发出的闪烁光强度进行了测量。使用了由 ECRIS 产生的电荷态在 =2 到 =18 之间、每电荷能量在 5 keV 到 17.5 keV 之间的氙离子束 Xe。束流强度通常在 1 到 100 nA 之间变化。由 EBIS 产生的高电荷态残余气体离子束，其每电荷能量为 4.5 keV，强度低至 100 pA。使用的闪烁体材料是 P46 YAG 和 P43 荧光粉的平板屏幕。在所有情况下，均由 CCD 相机探测从屏幕表面发出的闪烁光。研究发现，闪烁光强度与沉积到闪烁体中的离子动能每单位时间呈线性依赖关系，而在高达 =18 的范围内，未发现离子势能有任何显著贡献。我们在可能作为束流诊断应用（例如用于德国 GSI 的新 HITRAP 设施）的背景下讨论了这些结果。
引用
@article{arxiv.0710.4857,
title = {Scintillation light produced by low-energy beams of highly-charged ions},
author = {M. Vogel and D. F. A. Winters and H. Ernst and H. Zimmermann and O. Kester},
journal= {arXiv preprint arXiv:0710.4857},
year = {2008}
}
备注
6 pages, 8 figures