压力下 CeAu2Si2 中温度依赖热电势的标度行为
强关联电子
2016-08-03 v2
摘要
我们报道了压力诱导的重费米子超导体 CeAu2Si2 的面内电阻率和热电势的联合研究，压力高达 27.8 GPa。发现热电势几乎直到磁临界压力 pc ~ 22 GPa 都遵循 T/T* 的标度行为。通过与电阻率结果比较，我们表明该压力范围内热电势的大小和特征温度依赖性分别由 Kondo 耦合和晶体场分裂主导。在 pc 以下，超导转变之前出现大的负热电势极小值，表明这两种现象之间存在密切关系。此外，具有不同晶体结构的多种 Ce 基 Kondo 晶格的热电势遵循相同的标度关系直至 T/T* ~ 2。
引用
@article{arxiv.1602.02498,
title = {Scaling behavior of temperature-dependent thermopower in CeAu2Si2 under pressure},
author = {Z. Ren and G. W. Scheerer and G. Lapertot and D. Jaccard},
journal= {arXiv preprint arXiv:1602.02498},
year = {2016}
}
备注
6 pages, 4 figures. Supplementary Material available on request