描述多孔低k材料中等离子体损伤的反应-扩散过程中前沿传播的饱和
统计力学
2015-05-27 v2
摘要
我们提出了一个三组分反应-扩散系统，该系统产生移动界面的渐近对数时间依赖性。这自然与一个同时考虑单侧狄利克雷型和冯·诺依曼型边界条件的斯特藩问题相关。我们整合了界面运动对扩散和反应参数的依赖性，并观察到从输运行为和界面运动~t^1/2到对数行为~ln t随时间的变化。我们将理论发现应用于暴露于低温等离子体的多孔电介质中碳耗尽的传播。在微电子制造中典型的等离子体损伤实验情况下，这种扩散饱和在大约1分钟后达到。我们预测了对孔隙率和反应速率的一般依赖性。
引用
@article{arxiv.1102.3084,
title = {Saturation of front propagation in a reaction-diffusion process describing plasma damage in porous low-k materials},
author = {Soghra Safaverdi and Gerard T. Barkema and Eddy Kunnen and Adam M. Urbanowicz and Christian Maes},
journal= {arXiv preprint arXiv:1102.3084},
year = {2015}
}
备注
Accepted for publication in Phys. Rev. B