饱和效应对光致电离驱动宽吸收线变异的影响

我们通过一种变异现象研究饱和效应对宽吸收线(BAL)变异的影响，该现象表现为 Si IV BAL 显著变化而 C IV BAL 无变化或仅有微小变化（以下称现象 I）。首先，我们探究一个展现现象 I 的典型案例——类星体 SDSS J153715.74+582933.9（以下称 J1537+5829）。我们在其 Si IV BAL 内证认出四个窄吸收线(NAL)系统，并在其 C IV BAL 内额外证认出两个 NAL 系统，且确认它们协调减弱。结合电离连续谱的明显增强，我们将 J1537+5829 中的 BAL 变异归因于连续谱变化引起的电离改变。其次，我们给出了基于 SDSS-I/II/III 中多次观测类星体的统计研究。我们确认：(1) 在 74 个展现现象 I 的类星体中，Si IV BAL 的分数变率与连续谱之间存在中等程度反相关；(2) 展现 BAL 变异的样本往往具有更大的电离连续谱变率。这些结果揭示了连续谱变异对现象 I 和 BAL 变异的普遍影响。我们将现象 I 中 C IV BAL 相对缺乏变异归因于饱和效应。尽管如此，这些吸收体在 Si IV 上光学厚度并非很大，且对连续谱变异响应的电离改变可能是其变异的主要驱动因素。最后，我们发现饱和效应对 BAL 变异的影响能够很好地解释此前报道的许多 BAL 变异现象。